Neues TSC3PAK-Gehäuse für SiC-MOSFETs
ROHM hat das TSC3PAK-Gehäuse (14,00 × 18,58 × 3,50 mm) für Siliziumkarbid-MOSFETs entwickelt. Es zeichnet sich durch eine Wärmeableitungsstruktur auf der Oberseite aus, die mit automatisierter Bestückung kompatibel ist und eine Wärmeableitung auf dem Niveau herkömmlicher Durchsteckgehäuse wie TO-247 bietet.
Vorteile und Anwendungen
Das neue Gehäuse verbessert die Effizienz und Zuverlässigkeit von Stromwandlerschaltungen, insbesondere für On-Board-Ladegeräte (OBCs) und elektrische Kompressoren in Elektrofahrzeugen (xEVs). Im Vergleich zu Durchsteckbauteilen ermöglicht das oberflächenmontierbare Gehäuse ein flacheres Profil und eine automatisierte Produktion.
Technische Merkmale
- ROHM entwickelte Rillenstruktur gewährleistet eine große Kriechstrecke von 6,66 mm.
- Erzielt eine Wechselstrom-Spitzenspannung von 1200 V in Verschmutzungsklasse 2.
- Kompatibel mit marktüblichen Produkten.
Die darin eingesetzten SiC-MOSFETs der 4. Generation besitzen niedrigen Einschaltwiderstand und schnelle Schalteigenschaften, was die Schaltverluste beim Stromumwandeln deutlich reduziert und somit Effizienz und Energieverbrauch positiv beeinflusst.
Serienproduktion und Einsatzgebiete
Die Serienproduktion begann im Juni 2026. Das TSC3PAK kommt vor allem in folgenden Bereichen zum Einsatz:
- Automobiltechnik: Bordladegeräte (OBCs), elektrische Kompressoren
- Industrieausrüstung: PV-Wechselrichter, Server-Netzteile
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